Ürünler

Bridgeman yöntemiyle tek kristal üretimi yapabilen cihazların üretimi

Baryum Borat (BaB2O4) tek kristali temel lazer ışığının frekansını ikinci-beşinci harmonik üretimi yoluyla değiştiren, geniş spektral alanlarda kullanılan faydalı bir lineer olmayan malzemedir. Yüksek bozulma eşiği (1064 nm değerinde, 1.3ns için >10GW/cm2) sahiptir

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Germanium Ge tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 1.65 eV (751 nm) civarında olan Germanium Sulfide (GeS) tek kristali sanayide yoğun olarak kullanılmaktadır.

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Gallium Selenide (GaSe) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 2.0 eV (619 nm) civarındadır ve yüksek fotolüminesansdır.

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Cadmium Zinc Telluride (CZT) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı bileşimine göre 1.4-2.2 eV (885-563 nm) civarındadır.

Elektrooptik uygulamalarda kullanılan Thallium Galium Sulfide (TlGaS2) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 2.45 eV (506 nm) civarındadır

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Gallium Sülfide (GaS) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant açıklığı 2.5 eV (496 nm) civarındadır.

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Tin Telluride (SnTe) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 0.18 eV (6888 nm) civarındadır.

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Indiyum Telluride (InTe) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır.

Elektrooptik uygulamalarda kullanılan Thallium Indium Sulfide (TlInS2) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 2.1 eV (590 nm) civarındadır.

Elektrooptik uygulamalarda kullanılan Thallium Indium Selenide (TlInSe2) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 2.3 eV (539 nm) civarındadır.

Yüksek lüminesans özellik gösteren, elektronikte ve bilimsel araştırmalarda kullanılan Galium Sulfide Selenide (GaSSe) tek kristal ihtiyaçlarınızda tedarik sağlamaktayız.

Gallium Arsenide GaAs kristal ihtiyaçlarınızda tedarik sağlamaktayız. Bant aralığı 1.43 eV (760 nm) civarında olan silikondan sonra en çok kullanılan yarı iletken malzemedir.

Bant aralığı 1.65 eV (730 nm) civarındadır ve yüksek fotolüminesans gösterir. Bundan ötürü Ar-Ge faaliyetlerinde ve elektronik uygulamalarda kullanımı idealdir.

Optikte ve elektronikte kullanılmak üzere Cadmium Telluride (CdTe) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 1.5 eV (827 nm) civarındadır.

Düşük ısıl iletkenliğe sahip termoelektrik bir malzeme olan Lead Telluride (PbTe) tek kristal ihtiyaçlarınızda Mono Kristal Teknolojileri tedarik sağlamaktadır. Bant aralığı 0.32 eV (3874 nm) civarındadır.